Akce ČVUT
| Dnes | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| « | duben 2025 | » | ||||
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
| 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 |
| 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 |
| 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 |
| 28 | 29 | 30 | ||||
Kolokvium FJFI: Karbid křemíku: od výroby po aplikace v moderních technologiích
23.04.2025 16:00
Přednášející: Dr. Radim Čtvrtlík, členem R&D týmu ve společnosti onsemi
23. dubna 2025 od 16 hodin,
půl hodiny před začátkem bude k dispozici káva a čaj
Břehová 7, Praha 1
místnost B-103
Karbid křemíku (SiC) je typickým zástupcem materiálů s širokým zakázaným pásem, jehož výjimečné vlastnosti—kombinující vysokou tepelnou vodivost, radiační a chemickou odolnost spolu se specifickými elektrickými charakteristikami—z něj činí ideální materiál pro náročné aplikace ve výkonové elektronice. Cílem přednášky je shrnout základní strukturní a fyzikální charakteristiky SiC, porovnat jej s křemíkem a představit technologie používané při výrobě součástek na bázi SiC.
Radim Čtvrtlík je členem R&D týmu ve společnosti onsemi, kde se specializuje na vývoj technologie epitaxiálního růstu vrstev karbidu křemíku (SiC) metodou CVD a jejich charakterizaci. Je absolventem Univerzity Palackého v Olomouci, kde získal diplom z aplikované fyziky a metrologie a následně doktorát z oblasti depozice a charakterizace tenkých vrstev. Svůj multidisciplinární výzkum prováděl ve Fyzikálním ústavu Akademie věd ČR v Praze a na Virginia Polytechnic Institute and State University (VA, USA). Také působil jako odborný asistent na Univerzitě Palackého.
- Místo konání
- FJFI ČVUT, Břehová 7, Praha 1
- Pořadatel
- FJFI ČVUT
- Kontaktní osoba
- David Březina, david.brezina@fjfi.cvut.cz