Akce ČVUT
| Dnes | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| « | duben 2026 | » | ||||
| Po | Út | St | Čt | Pá | So | Ne |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
| 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
| 27 | 28 | 29 | 30 | |||
Contacts in Nanoscale and Contacts for Nanomaterials
07.04.2026 13:00-13:45
Škálování kontaktů zůstává jednou z nejkritičtějších výzev v technologii nano komplementárních kov-oxid-polovodičových (CMOS) tranzistorů. S tím, jak se rozměry součástek zmenšují do nanometrového režimu, se stále více stávají významnými problémy, jako je drsnost povrchu, zmenšená velikost kontaktu, omezená tloušťka vrstvy a použití nedotovaných substrátů. Tyto faktory zvyšují kontaktní odpor a zavádějí variabilitu a nelinearitu ve VA charakteristikách, což potenciálně omezuje výhody další miniaturizace CMOS. Tato přednáška se bude těmito výzvami zabývat a prozkoumá potenciální řešení pro nanoCMOS technologie nové generace. Ve druhé části přednášky se pozornost přesune na nově vznikající oblast ohmických kontaktů v dvourozměrných (2D) materiálech. Budou analyzovány klíčové obtíže – včetně omezených úrovní dotování, omezeného výběru kovů pro zarovnání pásů, zvýšeného pinningu Fermiho hladin a dopadu van der Waalsových mezer. Budou zdůrazněny strategie pro zlepšení výkonu ohmických kontaktů, jako jsou 2D/kovové van der Waalsovy kontakty, hybridní kontaktní struktury, dopování spojů, fázové a pásmové inženýrství a vyrovnávací vrstvy. Nakonec bude kriticky zhodnocena platnost Schottkyho kontaktního modelu v 2D heterostrukturách materiál/high-k/křemík.
- Místo konání
- FEL ČVUT v Praze, kat. mikroelektroniky, T2:B2-s141k
- URL online akce
- https://ieee.cz/ieee-distinguished-lecture/
- Pořadatel
- Katedra mikroelektroniky FEL ČVUT v Praze
- Kontaktní osoba
- Ing. Adam Bouřa, Ph.D., bouraa@fel.cvut.cz, +420224352335
- Podrobnější informace
- https://ieee.cz/ieee-distinguished-lecture/